10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.002
高亮度GaN基蓝色LED的研究进展
超高亮度GaN基蓝色LED的发展将会引起照明技术的一场革命,它是目前全球半导体领域研究和投资的热点.本文综合分析了了GaN材料的特性及相应的材料生长和欧姆接触、刻蚀工艺等关键技术,并对GaN基蓝色LED器件的进一步改进及应用前景作了展望.
GaN、蓝色LED、欧姆接触、刻蚀
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TN365(半导体技术)
广东省科技厅科技计划2002B11604
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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