10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004
不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
表面光伏谱、应变量子阱、形变势模型
19
O433.5+9;TN248.4(光学)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
115-118
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10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004
表面光伏谱、应变量子阱、形变势模型
19
O433.5+9;TN248.4(光学)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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