10.3969/j.issn.1007-5461.2000.05.058
光电导及光反射法测量AlGaN薄膜的Al组分
@@ AlGaN/GaN异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展.高速和高功率的AlGaN/GaN异质结场效应管(HFET)的研究也得到很大的重视.AlGaN薄层中的Al组分是决定此类器件的设计和性能的一个重要参量.
光电导、光反射法、测量、薄膜、异质结场效应管、激光器、高功率、发光管、组分、性能、设计、器件、兰光、参量
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O413(理论物理学)
2006-02-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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