可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长

摘要：

@@ 本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth,SAG)方法,在SiO2作掩膜的InP衬底上选择生长出高质量的InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达6.5 nm的可调谐DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成(electroabsorption modulated DFB Laser,EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破.

机标关键词：可调谐、激光器、电吸收调制器、质量、材料、选择区域生长、光子集成器件、DFB Laser、选择生长、性能可靠、调谐范围、单片集成、制作、掩膜、国内、方法、衬底、波长

所属期刊栏目：17

分类号：O413(理论物理学)

资助基金：国家科技攻关项目307-11-115;中国科学院资助项目69896260

在线出版日期：2006-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：461-462