碳在GaN中的形态

摘要：

@@ 氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C)GaN经不同温度退火后的Raman和Hall效应,发现两个重要的实验事实:在适当的温度范围内,在注C GaN中存在石墨微晶;GaN中分离的C是受主.

机标关键词：大功率器件、半导体材料、温度范围、实验事实、离子注入、浅杂质、光器件、氮化镓、紫外、制造、效应、微晶、退火、石墨、蓝光、课题

所属期刊栏目：17

分类号：O413(理论物理学)

资助基金：中国科学院资助项目

在线出版日期：2006-02-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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