GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究

摘要：

本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1～mrad、6～mrad、16～mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。

关键词：多量子阱、红外探测器、γ射线辐照

所属期刊栏目：17

分类号：TB3;S78

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：265-268