10.3969/j.issn.1007-5461.2000.03.014
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1~mrad、6~mrad、16~mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。
多量子阱、红外探测器、γ射线辐照
17
TB3;S78
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
265-268