10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.015
遗传算法在单电子器件I-V特性的半经典拟合中的应用
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用 遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶 现象进行了拟合。我们发现该算法的拟合结果效果很好。
单电子器件、主方程、遗传算法
17
O41;TN2
国家自然科学基金69890227,69971007;教育部霍英东教育基金
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
75-80