半导体薄膜表面粘附的非对称性偏压调控

摘要：

电调控表面粘附对微机电系统是至关重要的,同时相对于外加电压极性常具有对称性.本文以二硫化钼为研究对象,以石墨烯、氮化硼和n型硅为参照组展示半导体薄膜表面的非对称粘附行为.研究主要通过导电原子力显微镜和理论模拟来揭示金探针与金基底上二硫化钼之间的偏压调控粘附力的行为.结果反映二硫化钼表面偏压对粘附的调控能力远大于参照组材料,这种非对称行为主要来源于半导体薄膜与背电极之间形成的肖特基结中的内建电场.

机标关键词：非对称性、二硫化钼、导电原子力显微镜、微机电系统、氮化硼、内建电场、石墨烯、电压极性、粘附力、理论模拟

所属期刊栏目：39

分类号：F822.0;F224;TB383

在线出版日期：2023-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6