Sb、In掺杂对SnO半导体能带结构的影响

摘要：

基于密度泛函理论第一原理,利用平面波超软赝势法计算了SnO超胞掺杂不同含量Sb和In元素后的能带结构、态密度和分波态密度变化特性.研究发现,Sb和In元素掺杂都可使SnO半导体的禁带宽度变窄,导电特性显著提高.Sb掺杂后,SnO为n型半导体,其导电带底部明显下降,掺杂浓度越高,电导率越强,这更有利于SnO半导体异质结和器件制备.In掺杂后,SnO的费米能级显著地接近价带,表现出p型导电特性.

关键词：SnO半导体、第一性原理、掺杂、能带结构

所属期刊栏目：44

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;大连市科技创新基金资助重点项目

在线出版日期：2021-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：27-32