热氧化法中温度对Ga2 O3薄膜性质的影响

摘要：

利用干热氧化方法，对蓝宝石衬底上沉积的GaN薄膜进行热氧化处理制备出了Ga2 O3薄膜．研究了氧化温度对Ga2 O3薄膜的结构、形貌、氧化层厚度和化学组分的影响．X射线衍射结果显示，氧化后的GaN 薄膜上形成了Ga2 O3薄膜．当氧化温度处在850～950℃时，G a2 O3薄膜呈现出单一的β型结构，而当氧化温度高于1000℃时， Ga2 O3薄膜呈现出多晶结构．扫描电子显微镜测试显示，Ga2 O3薄膜的表面由三角岛状结构组成，这些岛具有直线边界，岛的尺寸随着氧化温度的升高而逐渐增加．Ga2 O3薄膜的厚度随着氧化温度的升高迅速增加，拟合结果显示，氧化层厚度和氧化温度之间为指数依赖关系．利用X射线能谱测试，研究了Ga2 O3薄膜中元素组成情况．

关键词：GaN、薄膜、Ga2 O3、热氧化、氧化温度

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：辽宁省高等学校杰出青年学者成长计划项目LJQ2013109；大连市科学技术基金项目2013J21DW026

在线出版日期：2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：322-326