射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响

摘要：

利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率(80～130 W)在硅衬底上制备出一组硼碳氮(BCN)薄膜.傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响,二者随射频功率的增大而呈规律性变化.B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚.并且,射频功率为110 W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低,薄膜最厚.

关键词：射频磁控溅射、硼碳氮薄膜、X射线光电子能谱、射频功率

所属期刊栏目：31

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目59831340;大连市科学技术基金资助项目2007J23JH029

在线出版日期：2008-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：155-157