温度对硅纳米线生长结构的影响

摘要：

以硅烷为反应气体,温度为850～1100℃,在(100)取向的单晶硅片上.采用化学气相沉积法生长了一维硅纳米线.用扫描电子显微镜观察了硅纳米线的表面形貌,用X射线衍射仪研究了硅纳米线生长结构与反应温度的关系.分析了不同实验条件对硅纳米线生长结构的影响,并对一维硅纳米线与块体硅的光致发光(PL)特性进行了分析比较.

关键词：硅纳米线、化学气相沉积、温度、生长结构、光致发光

所属期刊栏目：30

分类号：TN304.1(半导体技术)

资助基金：中国博士后基金会资助项目2004036387;辽宁省教育厅资助项目20040203

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：172-174