缓冲层结构微晶硅太阳能电池性能的研究

摘要：

采用在耔晶层与I层之间插入缓冲层的方法制备了一组微晶硅太阳电池,其结构式:AI/N层/I层/缓冲层/籽晶层/P层/SnO2∶ZnO/玻璃基底.通过测试表明,具有缓冲层的微晶硅电池的开路电压、短路电流.填充因子和转换效率明显好于无缓冲层的微晶硅电池,当1.6％硅烷浓度沉积籽晶层、3％硅烷浓度沉积缓冲层、5％硅烷浓度沉积I层时,获得微晶硅电池转换效率比无缓冲层高3.18％.

关键词：非晶孵化层、籽晶层、缓冲层

所属期刊栏目：42

分类号：TM914.42

资助基金：辽宁省教育厅基金L2014003;国家重点基础研究发展计划973计划项目2010CB327704;国家自然科学基金51272022;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-10-0220;教育部博士点基金20120009130005;中央高校基本科研业务费专项资金2012JBZ001

在线出版日期：2016-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：307-311