Ge组分对Si1-xGexHBT反向击穿特性影响的研究

摘要：

构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ce组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.

关键词：SiGe、异质结双极晶体管、ISE_TCAD、反向击穿特性

所属期刊栏目：38

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：辽宁省教育厅科研项目资助L2010152;辽宁大学博士启动基金2006009资助、辽宁大学青年科研基金

在线出版日期：2011-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4