MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法

摘要：

首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.

关键词：热载流子效应、金属氧化物场效应晶体管、Hu模型

所属期刊栏目：36

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：沈阳市科技局项目108186-00

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：129-132