运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

摘要：

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.

关键词：ESD、保护电路、GGNMOS

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：18-20