一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

摘要：

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2 μm BiCMOS工艺进行设计和仿真, spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V～5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV,基准的最大静态电流约为11.27 μA;当温度-40 ℃～120 ℃范围内,基准温度系数为1 mV;在电源电压为3.6 V时,基准的总电流约为10.6 μA,功耗约为38.16 μW;并且基准在低频时具有100 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),基准的输出启动时间约为39 μs.

关键词：带隙基准电压源、曲率校正、负反馈回路、RC滤波器

所属期刊栏目：36

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：沈阳市科技局科研项目1081246-1-00

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17