Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响

摘要：

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同.通过分析表明,398 nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470 nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生.

关键词：ZnO薄膜、光致发光、Zn缺陷

所属期刊栏目：36

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：辽宁省教育厅科研计划2008224;辽宁省科技厅科研计划20081030

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：6-8