条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

摘要：

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.

关键词：VDMOSFET、条形栅、特征导通电阻、物理模型

所属期刊栏目：35

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：沈阳市科技局1032029-2-06

在线出版日期：2008-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：197-199