GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计

摘要：

分析了电源与地之间ESD保护电路的必要性,研究用于电源和地之间GCNMOS(栅极耦合NMOS)结构ESD保护电路的工作原理,在此基础上提出了一个相应的版图设计,仿真结果显示该结构的ESD失效电压达到了3 kV.

关键词：ESD、GCNMOS、电源和地、栅极耦合.

所属期刊栏目：35

分类号：TN312(半导体技术)

资助基金：辽宁省科技厅资助项目002021;辽宁省教育厅资助项目20021076

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27