ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-5846.2007.04.015

ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

引用
ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜(ITO)相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点.因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点.综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论.

透明导电薄膜、ZnO、制备方法、电阻率、透射率.

34

TN304.055(半导体技术)

辽宁大学科研启动基金408041

2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

334-338

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

辽宁大学学报(自然科学版)

1000-5846

21-1143/N

34

2007,34(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn