低压UDMOSFET结构设计

摘要：

对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化.最后对20V/10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算.

关键词：品质因数、密勒效应、UDMOSFET

所属期刊栏目：34

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：辽宁省沈阳市科技局资助项目1032029-2-06

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：97-100