VDMOSFET沟道区的研究

摘要：

讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.

关键词：沟道长度、夹断区、VDMOSFET

所属期刊栏目：34

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：辽宁省沈阳市科技局资助项目1032029-2-06

在线出版日期：2007-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14