20V/10A UDMOSFET的研制
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-5846.2006.04.005

20V/10A UDMOSFET的研制

引用
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,给出了UDMOSFET的制造工艺,重点讨论工艺难点,对测试结果进行了详细分析.

UDMOSFET、沟槽、腐蚀

33

TN386.1(半导体技术)

辽宁省沈阳市科技局资助项目1032029-2-06

2006-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

305-308

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

辽宁大学学报(自然科学版)

1000-5846

21-1143/N

33

2006,33(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn