10.3969/j.issn.1000-5846.2006.04.005
20V/10A UDMOSFET的研制
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,给出了UDMOSFET的制造工艺,重点讨论工艺难点,对测试结果进行了详细分析.
UDMOSFET、沟槽、腐蚀
33
TN386.1(半导体技术)
辽宁省沈阳市科技局资助项目1032029-2-06
2006-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
305-308
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10.3969/j.issn.1000-5846.2006.04.005
UDMOSFET、沟槽、腐蚀
33
TN386.1(半导体技术)
辽宁省沈阳市科技局资助项目1032029-2-06
2006-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
305-308
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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