高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

摘要：

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.

关键词：体二极管、恢复速度、肖特基接触、VDMOSFET

所属期刊栏目：33

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41