关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试

摘要：

静电放电(electrostatic discharge, ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits, ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因.而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式.因此要在IC中加入相关的保护电路.对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试.

关键词：静电放电、人体模型、GCNMOS

所属期刊栏目：32

分类号：O45(无线电物理学)

在线出版日期：2005-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：124-126