VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)

摘要：

以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.

关键词：VDMOSFET、特征导通电阻、设计

所属期刊栏目：31

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37