多孔硅的能带与发光机制的研究与分析

摘要：

在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.

关键词：多孔硅、光致发光、量子限制模型、表面态、能量赝势法

所属期刊栏目：31

分类号：O471.5(半导体物理学)

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：20-22