组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较

摘要：

用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×1013～5×1015ion/cm2的N+2/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N+2/As+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.

关键词：组合离子注入、双晶X射线衍射、晶格应变、杂质

所属期刊栏目：31

分类号：O561.5(分子物理学、原子物理学)

资助基金：辽宁省辽阳市科技局资助项目1022037-1-06

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4-7