新型功率半导体器件IGCT的核心技术

摘要：

在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.

关键词：IGCT、缓冲层、透明阳极、逆导技术、集成门极

所属期刊栏目：29

分类号：TN342.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876013;辽宁省科技厅资助项目002021;辽宁省教育厅资助项目20021076

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：115-120