N+2注入Si的折射率谱和弛豫时间

摘要：

用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50 keV,不同注入剂量的N+2注入Si的折射率谱.计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果进行了初步地讨论.

关键词：离子注入、椭圆偏光谱、折射率谱、弛豫时间

所属期刊栏目：29

分类号：O561.3(分子物理学、原子物理学)

资助基金：辽宁省教育厅资助项目;辽宁大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：56-61