双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响

摘要：

通过对VDMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析 , 发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响.可以来用一种新型的具有浅扩散p +区的自对准VDMOS结构,以完全消除寄生的BJT导通机制,这对MOS技术的发展十分有益 .

关键词：功率纵向双扩散MOSFET、双极晶体管、电 流-电压特性

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：336-339,348