VDMOSFET终端场板的设计考虑

摘要：

对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系.为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据.

关键词：场板、氧化层厚度、场板长度、击穿电压

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：332-335