退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响

摘要：

首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化.结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384 nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光.

关键词：SiC薄膜、射频磁控溅射、退火温度、结构、光致发光

所属期刊栏目：46

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家"973"计划资助项目2008CB717802;安徽省自然科学基金资助项目090414182;安徽省高校自然科学基金资助项目KJ2009A091

在线出版日期：2011-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：753-756