射频磁控溅射法制备碲化铅薄膜的X射线衍射分析
采用射频磁控溅射法,在单面抛光的Si(111)衬底上制备了PbTe薄膜,利用X射线衍射法分析了溅射工艺参数如溅射功率、溅射时间、村底温度以及退火温度对PbTe薄膜的结晶质量的影响.结果表明:在溅射功率为30 W,溅射时间为10 min,衬底未加热时制备的薄膜具有最好的<100>方向的择优取向性;退火处理可以改善薄膜的结晶质量,并且退火温度越高,薄膜的结晶质量越好.
PbTe薄膜、XRD、射频磁控溅射、结晶性能
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TM23;TB43(电工材料)
2010-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
288-291