掺氮ZnO薄膜的制备及其光电性能
在保持氢气流量一定,通过改变O2与N2的流量比,以高纯锌为靶材,通过射频磁控溅射技术在石英玻璃底衬上生长氮掺杂ZnO薄膜.采用XRD、荧光光谱、扫描电镜及皮安表对薄膜的晶体结构、光学性能、表面和截面形貌及电学性能进行了表征.结果表明:氮掺杂ZnO薄膜仍具有高度的c轴择优取向;氮以受主杂质形式存在可有效降低薄膜的电阻率;薄膜中氮含量的相对变化是影响ZnO薄膜晶体质量和光电性质的重要因素.
射频磁控溅射、氮掺杂氧化锌薄膜、受主杂质
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TB43(工业通用技术与设备)
安徽省红外与低温等离子体重点实验室资助项目2007C2002107D
2009-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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