射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能

摘要：

采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜.使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究.结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低.荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好.

关键词：射频磁控反应溅射、缓冲层、表面形貌、电阻率、荧光光谱

所属期刊栏目：44

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：安徽省自然科学基金03044703;安徽省红外与低温等离子体重点实验室项目2007C002107D

在线出版日期：2008-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-74,93