溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

摘要：

利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析.结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能-成分曲线说明非晶态合金有较低自由能.在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热(EHF)因素和结构因素决定.随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜.

关键词：非晶钴硅薄膜、X射线分析、自由能曲线

所属期刊栏目：42

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：中国科学院资助项目50131030;上海市AM基金0211

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：163-166