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10.3969/j.issn.1001-4012.2006.01.006

RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析

引用
采用RF磁控溅射法,在玻璃衬底上制备多晶ZnO薄膜,并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度(350~600℃)的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理.利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.结果表明,合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量.

ZnO薄膜、RF磁控溅射、XRD、退火处理、结晶性能

42

TG115.23(金属学与热处理)

合肥工业大学校科研和教改项目103-037016

2006-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

19-22,39

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1001-4012

31-1338/TB

42

2006,42(1)

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