铌硅化合物氧化行为的X射线衍射分析

摘要：

利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物.

关键词：铌硅化合物、氧化行为、X射线衍射

所属期刊栏目：40

分类号：TG115.23(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金50131030;上海市应用材料研究与发展基金0211

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：10-12