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用杯[4]芳烃修饰玻碳电极循环伏安法测定水样中汞

引用
在含1.0×10-3mol·L-1杯[4]芳烃的0.1mol·L-1四丁基高氯酸铵溶液中,在-0.2~-0.8V(vs.Ag/AgCl)电位区间进行扫描,在玻碳电极表面电沉积一层杯[4]芳烃膜,从而制得杯[4]芳烃修饰玻碳电极。采用交流阻抗法和原子力显微镜对电极的表面性能进行了表征,采用循环伏安法对其电化学性能进行研究。试验发现:汞在杯E43芳烃修饰玻碳电极上出现一个明显氧化峰,氧化峰电位为0.28V(vs.Ag/AgCl)。在优化的试验条件下,Hg2+浓度在2.0×10-6~1.7×10-3mol·L-1范围内与氧化峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为5.0×10-1mol·L-1。修饰电极用于自制水样中汞的测定,所得结果与火焰原子吸收光谱法测定值相一致。

杯[4]芳烃、玻碳电极、循环伏安法、汞

47

O657.1(分析化学)

2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

1074-1076,1079

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