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10.3321/j.issn:1001-4020.2007.11.006

单晶硅原料中铝的分离和测定

引用
单晶硅原料溶于浓氢氟酸中,基体硅以SiF4形式挥发除去.残渣溶于硝酸及盐酸中,再加高氯酸并蒸发至近干,残渣用盐酸(1+1)使其完全溶解.分取部分试液,在pH 4.5的六胺缓冲介质中用吐温-20,PAR及(NH4)2SO4,在总体积为10 mL的溶液中进行萃取.经过萃取可分离除去全部共存的Fe(Ⅲ),Cu(Ⅱ),Cr(Ⅲ)及Ni(Ⅱ),部分钴(Ⅱ)和铅(Ⅱ),而Al(Ⅲ)则与Ca(Ⅱ),Mg(Ⅱ)及Na(Ⅰ)定量地留在下层水相中.用分光光度法在CPC存在下,CAS为显色剂测定下层水相中铅含量,光度测定波长为642 nm,方法的线性范围为0.02~0.50 mg·L-1,检出限为0.01 mg·L-1也试验了方法的回收率及精密度,所测得回收率在96%~101%之间,相对标准偏差(n=5)均小于3.5%.

分光光度法、双水相萃取、铝、单晶硅

43

O657.31(分析化学)

南京农业大学校科研和教改项目0612A09

2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

920-921,924

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理化检验(化学分册)

1001-4020

31-1337/TB

43

2007,43(11)

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