重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响

摘要：

目的:探讨重复经颅磁刺激(rTMS)对精神分裂症患者事件相关脑电位(ERPs) N400、P300和失匹配负波(MMN)的影响. 方法:给予85例精神分裂症患者(患者组)在原抗精神病药治疗的基础上联合rTMS治疗25次;于rTMS治疗前后进行N400、P300及MMN检测,结果进行自身对照及与76名健康志愿者(正常对照组)比较. 结果:与正常对照组比较,患者组额区N400、P300和MMN潜伏期明显延迟、波幅明显降低(P＜0.05或P＜0.01);治疗后患者额区N400中同音异形异义潜伏期和异音异形异义波幅、额区MMN及P300波幅较治疗前明显提高(P均＜0.05). 结论:精神分裂症患者ERP指标异常,经rTMS治疗可明显改善N400、P300和MMN.

关键词：重复经颅磁刺激、精神分裂症、认知功能、事件相关电位

所属期刊栏目：30

分类号：R749.3(神经病学与精神病学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目81471357

在线出版日期：2020-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：96-99