重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响

摘要：

目的：探讨重复经颅磁刺激（rTMS）对精神分裂症患者失匹配负波（MMN）及 P300的影响。方法：应用美国脑电生理仪器，对78例精神分裂症患者在 rTMS 治疗前后进行 P300和 MMN 检测，观察rTMS 治疗前后P300和MMN 的变化。结果：与正常组比较，精神分裂症组MMN 潜伏期延迟，和波幅降低（P <0.05或P <0.01），P300中的靶波幅P3降低（ P <0.05）。患者组经过25次rTMS 治疗后MMN 波幅及P300靶波幅P3明显提高（P <0.05或P <0.01）。结论：rTMS 治疗可以提高精神分裂症患者事件相关电位的MMN 及P3波幅。

关键词：重复经颅磁刺激、失匹负波、P300、精神分裂症

分类号：R749.3(神经病学与精神病学)

资助基金：上海闸北区卫生局2012年重点立项课题2012ZD06

在线出版日期：2014-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：312-314