不同脑部重复经颅磁刺激对精神分裂症患者认知功能的影响

摘要：

目的：初步探讨不同部位θ短阵快速脉冲（TBS）重复经颅磁刺激（rTMS）对精神分裂症患者认知功能的影响。方法：96例精神分裂症患者随机分为左侧额叶组、双侧额叶组、左侧颞叶组及假刺激组，每组各24例。在维持原有抗精神病药种类及剂量不变的基础上采用 TBS 模式进行相应部位 rT-MS，每周5次，4周为1疗程。治疗前后应用威斯康星卡片分类测验-64（WCST-64）、定步调听觉连续加法测验（PASAT）、霍普金斯词汇学习测验-修订版（HVLT-R）对患者认知功能进行评定。结果：92例患者完成疗程；治疗前各组 HVLT-R、WCST-64及 PASAT 评分差异无统计学意义；治疗后，除假刺激组外，其余3组 PASAT、HVLT-R 评分较治疗前明显升高（P 均<0.05）；WCST-64的持续错误数和持续反应数均明显下降（P <0.05，P <0.01），其中左侧额叶组及双侧额叶组 PASAT、HVLT-R 评分较左侧颞叶组明显升高（P <0.05，P <0.01），WCST-64持续错误数和持续反应数较左侧颞叶组明显下降（P <0.05， P <0.01），左侧额叶组和双侧额叶组间 HVLT-R、WCST-64及 PASAT 评分差异无统计学意义。结论：TBS 模式的 rTMS 刺激左侧额叶、双侧额叶及左侧颞叶对精神分裂症患者认知功能均有明显改善，刺激左侧额叶及双侧额叶的改善作用更佳。

关键词：经颅磁刺激、精神分裂症、认知功能

分类号：R749.3(神经病学与精神病学)

资助基金：广东省医学科研基金立项A2012524

在线出版日期：2014-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：308-311