直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述

摘要：

硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.本文针对直拉法电子级硅单晶生长过程,以晶体生长基本原理为基础,从生长建模、变量检测、控制方法等方面进行了全面的阐述,特别针对当今大尺寸、高品质硅单晶生长的要求,总结了目前所取得的主要研究成果与面临的问题,并提出了相应的研究思路和方法.

关键词：直拉硅单晶、过程建模、变量检测、过程控制、控制策略

所属期刊栏目：34

分类号：TP273(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61533014;国家重点基础研究发展计划"973"计划2014CB360508;陕西省科技统筹创新工程计划2016 KTZDGY-03-03资助. Supported by Key Program of National Natural Science Foundation of China61533014;National Basic Research Program of China2014CB 360508;Shaanxi Science&Technology Co-ordination&Innovation Project2016KTZDGY-03-03

在线出版日期：2017-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1-12