10.3969/j.issn.0253-6099.2018.03.027
黄铜矿半导体电学特性对其中等嗜热菌浸出行为的影响
为了研究黄铜矿半导体电学特性对其生物浸出的影响机制,采用霍尔效应测试技术分析了3种不同来源黄铜矿的半导体电学特性,并在45℃、170 r/min、2%矿浆浓度条件下进行了中等嗜热混合菌浸出试验.结果表明,黄铜矿A的载流子浓度为-9.190×1018 cm-3,绝对值明显高于黄铜矿B和C的载流子浓度(-3.065×1018 cm-3和-2.183×1017 cm-3);黄铜矿A的电阻率为0.05465Ω·cm,明显低于黄铜矿B和C的电阻率(0.1469Ω·cm和0.9306Ω·cm);黄铜矿的载流子浓度、电阻率与其铜浸出率存在明显联系,黄铜矿的载流子浓度越高、电阻率越小,铜的浸出速率就越高,浸出19 d后,3种黄铜矿纯矿物(A、B、C)的铜浸出率分别为66.1%,25.3%和21.4%;电化学试验结果表明,3种黄铜矿的氧化还原反应过程基本相同,但黄铜矿A的腐蚀电流密度明显高于另外两者.
黄铜矿、半导体电学特性、中等嗜热浸矿菌、生物浸出、电化学
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TD925(选矿)
国家自然科学基金51204207;中南大学研究生自主探索创新基金2017zzts370
2018-08-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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