Cl-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响

摘要：

采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L CuSO4+70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl-存在对铜沉积还原过程以及Cl-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响.研究表明,加入Cl-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3~-0.1 VSCE)下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6~-0.4 VSCE)下,Cl-则阻碍铜的结晶沉积.通过扫描电镜还观察了Cl-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl-在铜电结晶过程中的作用机理.

关键词：表面处理、粗化处理、氯离子、电结晶、镀层形貌、压延铜箔

所属期刊栏目：38

分类号：TG174(金属学与热处理)

资助基金：江苏省材料表面科学与技术重点实验室开放课题9W4548

在线出版日期：2018-06-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：119-123,127