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10.3969/j.issn.0253-6099.2016.01.029

烧结温度对放电等离子烧结法制备IGZO靶材的影响研究

引用
以预烧结复合粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备IGZO靶材,并采用密度测定、XRD、SEM等手段对不同烧结温度条件下的靶材结构性能进行了表征分析.结果表明,在一定的烧结温度区间,随烧结温度升高,烧结体相对密度增加,体积电阻率降低,烧结温度1 100℃条件下烧结体的结构性能较好,相对密度97.44%,体积电阻率3.66 mΩ/cm3.

IGZO靶材、放电等离子烧结法、烧结温度

36

TG115(金属学与热处理)

2016-05-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

114-116

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矿冶工程

0253-6099

43-1104/TD

36

2016,36(1)

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