多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究

摘要：

通过对碳化硅冶炼炉内温度场的数值模拟,研究了单热源炉与多热源炉温度梯度的分布与演变规律,并采用X衍射对多热源与单热源合成炉中不同部位的合成产品的物相进行了对比分析.研究表明,多热源合成炉内温度场均匀性更好;适合碳化硅生长的高温区域,多热源法要大于Acheson单热源法;多热源合成炉内无高温聚集区,生产更平稳、更安全.

关键词：碳化硅、多热源、温度场、均匀性、温度梯度

所属期刊栏目：33

分类号：O551(热学与物质分子运动论)

资助基金：国家自然科学基金51074123;陕西省教育厅科研计划项目12JK0785;榆林市产学研合作项目2011;西安科技大学博士基金2011QDJ022

在线出版日期：2014-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：97-100